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飛納電鏡操作過程自動化:背散射電子和二次電子混合像

 更新時間:2018-09-26 點擊量:11812

當電子束與樣品相互作用時,會產(chǎn)生背散射電子(BSE)和二次電子(SE)。通過檢發(fā)射信號可獲得樣品表面的成分襯度像(背散射電子)和表面形態(tài)像(二次電子)。背散射電子和二次電子是如何形成的,為什么它們攜帶特定的樣品信息?此外,能否在一幅圖像中同時獲得成分和形態(tài)信息?

 

當入射電子束擊中樣品表面時,會產(chǎn)生二次電子和背散射電子,檢測并收集這些信號從而形成圖像。二次電子是由樣品的核外電子的非彈性散射產(chǎn)生的,如圖 1 左圖所示。二次電子(SE)是低能量電子(通常小于 50eV),容易被吸收。這就是為什么只有從極薄的樣品表面中產(chǎn)生的二次電子才能被探測器收集的原因。

 

而背散射電子是由彈性散射形成的,其中主電子的軌跡因與樣品中原子核的相互作用而產(chǎn)生偏離,如圖1右圖所示。背散射電子(BSE)通常具有很高的能量,可以從樣品的深處檢測到。

 

 

圖1:二次電子(左邊)和背散射電子(右邊)的形成。二次電子(SE)是由非彈性散射形成的,而背散射電子(BSE)是由彈性散射形成的。

 

二次電子圖像包含了樣品的表面形貌信息。如圖 2 左邊所示,電子束掃描到一個有凸起的表面。當電子束位于這個凸起的斜坡上時,側(cè)壁的相互作用體積導致更多的二次電子逃離表面。當電子束位于平坦區(qū)域時,較少的二次電子可以逃離。這意味著二次電子在邊緣和斜坡上的產(chǎn)率更高,圖像比在平坦的區(qū)域更明亮,從而提供樣品的形貌信息。

 

另一方面,背散射電子的產(chǎn)率取決于材料,如圖2所示。如果電子束轟擊原子序數(shù) Z=14 的硅原子,那么形成的背散射電子就會比原子序數(shù) Z=79 的金原子少。原因在于,金原子的原子核更大,對主電子的軌跡產(chǎn)生更強的影響,從而導致更大的偏離。因此,背散射電子圖像提供了關(guān)于樣品元素成分差異的信息。

 

圖2:左邊,二次電子在樣品表面邊緣和斜坡上的產(chǎn)率要比在平坦表面的高。右邊,背向散射電子的產(chǎn)率取決于材料的原子序數(shù),同一入射電子束在金原子 (Z = 79)中產(chǎn)生的背散射電子比在硅原子(Z = 14)中多。

 

為了收集二次電子,通常使用 Everhart-Thornley 探測器(ETD)。由于二次電子(SE)的能量較低,所以在探測器前面放置一個高電位的柵極來吸引二次電子。另一方面,背散射電子(BSE)通常由放置在樣品上方的固態(tài)探測器收集。ETD 探測器和 BSD 探測器獲得的圖像分別包含了樣品的形貌和成分信息。

 

然而,對于某些應(yīng)用程序來說,在一張圖像中同時擁有形貌和成分信息是很方便的,可以通過合成來自兩個檢測器的信號來實現(xiàn)。

 

混合背散射電子和二次電子圖像

 

當獲得圖像時,電子束逐個掃描樣本表面像素。在每個像素中,探測器收集信號并將其轉(zhuǎn)換為一個值。如果圖像以 8 位獲得,像素值的范圍從 0 到 255。如果圖像是 16 位獲取的,每個像素的值可以從 0 到 65,535。

 

像素的值取決于二次電子或背散射電子的產(chǎn)率,像素的值越高,像素在圖像中的亮度就越高。如圖 2 左圖所示,由于發(fā)出了更多的二次電子(SE),所以該位置的像素值將更高,圖像中的邊緣將顯得更亮。

 

將背散射電子和二次電子圖像進行混合,就意味著這兩種圖像是疊加在一起的。實際上,二次電子(SE)圖像中的每個像素都是與背散射電子(BSE)圖像中相應(yīng)的像素疊加的,公式為:

 

 

其中“比率(ratio)”是合成圖像中攜帶的二次電子(SE)和背散射電子(BSE)信息的比值。對于相同的形貌和成分信息,比值將等于 0.5。

 

在圖 3 的左邊,你可以看到一個太陽能電池的掃描電鏡圖像,上方是二次電子(SE)圖像,下方是背散射電子(BSE)圖像,其中白色區(qū)域為銀,而黑色區(qū)域為硅。在二次電子(SE)圖像中,樣品的形貌是清晰的:銀的顆粒結(jié)構(gòu)很容易被檢測到,還有凹凸不平的硅表面。當然,ETD 探測器也會接收到一些背散射電子(BSE)信號,這也是為什么兩種材料之間存在對比度差異的原因。

 

在背散射電子(BSE)圖像中,樣品的形貌不太明顯。但是,材料的對比度增強了,同時也顯示了銀上的一些污染顆粒。在圖 3 的右邊是混合圖像。在本例中,我們使用了 0.5 的比率,這意味著每個像素值包含 50% 的形貌信息和 50% 的成分信息。不僅可以看到不同材料粒子的成分襯度,而且還可以看到銀表面和硅表面粗糙結(jié)構(gòu)。

 

圖3:合成圖像示例。左上方是太陽能電池的二次電子(SE)圖像,下方是太陽能電池的背散射電子(BSE)圖像,銀(亮區(qū))可以與硅(暗區(qū))區(qū)分開來。右邊是合成圖像,比例為 0.5。

 

合成圖像的腳本

 

在許多應(yīng)用中,能夠產(chǎn)生和保存混合的背散射電子和二次電子圖像是很關(guān)鍵的。不僅如此,設(shè)置SE與BSE的比值很重要,可以獲得的圖像,為用戶提供有價值的信息。

 

通過使用飛納編程接口(PPI),開發(fā)一個腳本,可以直接從飛納掃描電鏡中獲取背散射電子(BSE)和二次電子(SE)圖像,并將它們合并在一起,如圖 4 所示。也可以加載先前在飛納電鏡中保存的背散射電子(BSE)和二次電子(SE)圖像,并生成和保存合成圖像。

 

圖4:混合圖像腳本的用戶界面,使用 PPI 開發(fā)。

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